domingo, mayo 19

El avance de la ‘memoria universal’ acerca a la próxima generación de computadoras un paso más hacia un gran aumento de velocidad

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La memoria de computadora universal, que es súper rápida y energéticamente eficiente, está un paso más cerca de la realidad después de que los científicos construyeron un prototipo “extremadamente” estable utilizando un material completamente nuevo.

El nuevo material, denominado “GST467”, que contiene germanio, antimonio y terbio, se utilizó como una capa repetida en una estructura de capas apiladas, conocida como superred, y podría allanar el camino para una memoria universal que pueda reemplazar tanto la memoria corta como la almacenamiento a largo plazo. También puede ser más rápido, más barato y consumir menos energía, dijeron los científicos en un estudio publicado el 22 de enero en la revista Nature.

Hoy en día, las computadoras utilizan memoria a corto plazo, como la memoria de acceso aleatorio (RAM) y la memoria flash a largo plazo, como unidades de estado sólido (SSD) o discos duros, para diferentes propósitos. La RAM es rápida pero necesita una cantidad significativa de espacio físico y un suministro de energía constante, lo que significa que sus datos desaparecen cuando se apaga la computadora. La memoria flash, por otro lado, retiene datos sin necesidad de energía y es mucho más densa, pero es más lenta que la RAM a la hora de transferir los datos almacenados al procesador.

Quedan varios obstáculos técnicos antes de que una memoria universal que combine la velocidad de la RAM y la memoria a largo plazo del almacenamiento flash sea comercialmente viable. Pero este prototipo es lo más parecido a lo que nadie ha llegado, escribieron los científicos en su artículo.

Según el estudio, el nuevo prototipo es una forma de memoria de cambio de fase (PCM) que crea unos y ceros de datos de computadora cuando cambia entre estados de alta y baja resistencia en un material similar al vidrio. Cuando el material del PCM cristaliza (lo que representa “uno”), libera una gran cantidad de energía y tiene baja resistencia. Tiene una alta resistencia y absorbe la misma cantidad de energía cuando se funde, lo que representa “cero”.

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Según los investigadores, GST467 es un candidato ideal para su uso en PCM porque ofrece una cristalización más alta y temperaturas de fusión más bajas que otras alternativas, que también están hechas de antimonio, terbio y germanio, pero en diferentes proporciones y estructuras cristalinas.

En el nuevo estudio, el equipo diseñó y probó cientos de dispositivos de memoria de trabajo de diferentes tamaños que incorporaban GST467 como una capa en una pila de capas intercaladas de diferentes composiciones. Luego realizaron extensas mediciones eléctricas. Este es un breve resumen.

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